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德国产 ICP 等离子/离子源

德国产等离子/离子源是最新一代无损耗件感应耦合离子源。”眼镜蛇”离子源采用工业标准13.56兆赫兹激励和感应耦合由磁场约束的等离子体，从而产生高等密度和能级的等离子，并可独立于离子流地控制。

粒子流密度决定于耦合到等离子体的射频（RF）功率，从而可作为射频功率和约束磁场强度的函数在0.1到3mA/cm2范围调控。在常磁场和工艺气体流量下，粒子流密度几乎正比于射频功率。等离子体密度和所产生的粒子流密度与气体原子或分子在等离子体中滞留时间有关，而滞留时间又由真空抽速和气体流量决定。

离子能级独立于粒子流量密度，可由所加射频电压调制。粒子流密度差不多独立于射频电压，只决定于偶合入等离子体的能量。在低真空度下离子能量近乎高斯分布切其delta E/E小于或等于10%。该离子源的最大特点是其可调耦合器可使离子能级在20~600电子伏特范围内达到预设值。尤为重要地是，其耦合器的设置允许独立的控制和调节射频电流和电压的大小。

主要参数：

离子束直径25mm到160mm。

法兰尺寸8（CF160）英寸到12英寸（CF250）

等离子密度可达10E13。

离子化率可达20%。

氮气和氧气离解化率80%。

粒子流密度为.1~3 mA/cm2。

在20~600电子伏特范围独立调节离子能级。工作真空度范围.04~40 mTorr。

工作气体种类不限(N2, O2, H2, SF2, CF4, SiCL4, WF6) 。

主要应用范围：

溅射和生成薄膜。

保护膜如类金刚石
膜（a-c:H ），含钽类
金刚石膜（ta-C:H ），
氮化碳膜（CNx ）。

多晶金刚石膜。

无定型和多晶硅膜。

光学薄膜和多层膜系。

氧化硅，氮化硅，和氧氮化硅膜。

表面等离子处理和改性。

蚀刻。

离子辅助沉积（磁控溅射，电子束）。

表面清洗。

主要特点：

耦合器集成到离子源中。

即插即用外部安装。

连续工作其长（可达数百小时以上）。

长期工作稳定性高。

结构紧凑。

可处理大面积基片（大于1平方米）。适用范围广。


图中等离子由氮气分子离子（N2+）和氮原子离子（N+）组合而成。其中氮气分子离子（N2+）为占优组分。	图中等离子由氮气分子离子（N2+）和氮原子离子（N+）组合而成。其中氮气原子离子（N+）为占优组分。